CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor)



komplementaarne metalloksiid-pooljuht Mikroprotsessorid sisaldavad suurt hulka trigereid ehk elemente, mis vastavalt juhtsignaalile on kas suletud või avatud olekus. Iga trigeri väljundil on siis vastavalt signaal 0 või 1. Ajalooliselt kasutati esimeste pooljuhttrigerite puhul iga trigeri jaoks kaht eraldi korpuses transistori, praegu paigutatakse ühele ränikristallile miljoneid CMOS-tehnoloogias valmistatud trigereid, varustatakse kristall väljaviikudega ja monteeritakse korpusse.

"Metalloksiid-pooljuht" tähendab seda, et transistoridena kasutatakse metalloksiid-väljatransistore (MOSFET) ja komplementaarne seda, et iga triger on moodustatud kahest erinevat tüüpi MOSFET-transistorist - üks on p-MOS ja teine n-MOS.

CMOS-mikroskeemid tarbivad energiat ainult ümberlülitumise momendil, muul ajal on nende energiatarve praktiliselt null. Kui aga töösagedus läheb väga kõrgeks ja ümberlülitumised toimuvad suure sagedusega, siis hakkavad nad kuumenema ning see piirab protsessorite maksimaalset lubatud töökiirust. Tuleb silmas pidada ka seda, et metalloksiid-pooljuhid on väga tundlikud elektrostaatiliste laengute suhtes ja kui nendega ettevaatamatult ümber käia, võivad nad pöördumatult rikneda